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eeprom读写原理
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可编程的存储器，具有电可擦除和可重写的特性，通常用于存储设备参数、校准数据、序列号等信息。
EEPROM的读写原理与普通存储器不同，它使用了特殊的电学机制来实现读写操作。EEPROM内部由一个大量的晶体管和电容构成，每个晶体管和电容组成了一个存储单元。每个存储单元可以存储一个位，即0或1。
当需要写入数据时，EEPROM会把电压施加到存储单元的栅极和源极之间，通过改变栅极和源极之间的电场强度来改变晶体管的电导率，实现写入数据。具体来说，写入数据的操作过程是这样的：
1. 将待写入的数据以二进制形式送到EEPROM的控制器中。
2. 控制器将待写入的数据转换为数字电压，并将电压施加到EEPROM的存储单元中。
3. 控制器发送一个写入指令给EEPROM，使EEPROM开始执行写入操作。
4. EEPROM内部的晶体管电容会通过电场强度的变化来改变存储单元中的电荷，从而存储写入的数据。
当需要读取数据时，EEPROM会通过读取存储单元的电压来判断存储单元中存储的是0还是1。具体来说，读取数据的操作过程是这样的：
1. 控制器发送一个读取指令给EEPROM，使EEPROM开始执行读取操作。
2. EEPROM内部的电路会将存储单元中的电压转换为数字电压。
3. 控制器将数字电压转换为二进制形式的数据，并将其输出。
需要注意的是，EEPROM具有一定的写入次数限制，即每个存储单元只能写入有限次数。如果超过了写入次数限制，存储单元就会出现损坏，导致数据无法正确写入或读取。因此，在使用EEPROM进行存储操作时，需要注意控制写入次数，避免存储单元损坏。
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